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詳情內(nèi)容 大功率測(cè)試IGBT系統(tǒng)
在..性的能源短缺和環(huán)境惡化問(wèn)題日益嚴(yán)重的..，以IGBT為代表的功率半導(dǎo)體器件以?xún)?yōu)良的性能廣泛應(yīng)用于航空航天、交通運(yùn)輸、綠色照明、智能家電、交流電機(jī)等領(lǐng)域。在IGBT不斷向高頻、高溫、高壓、大功率方向發(fā)展的同時(shí)，IGBT的開(kāi)關(guān)損耗嚴(yán)重制約了其開(kāi)關(guān)頻率的提高，較大的電壓變化率和電流變化率所引起的電壓和電流過(guò)沖會(huì)使IGBT應(yīng)用電路的可靠性下降，同時(shí)也會(huì)帶來(lái)大量的電磁污染。因此，正確選擇IGBT模塊并對(duì)其工作環(huán)境進(jìn)行合理的設(shè)計(jì)可以大大..如電氣寄生參數(shù)治理、熱分布管理以及EMI等工作量，不僅能提高產(chǎn)品的可靠性，同時(shí)也可以縮短產(chǎn)品的研發(fā)周期。
半導(dǎo)體廠商所提供的器件數(shù)據(jù)手冊(cè)對(duì)設(shè)計(jì)者有一定的參考價(jià)值，但是由于其測(cè)試數(shù)據(jù)本身的不可重復(fù)性，使得特定工作環(huán)境（環(huán)路寄生參數(shù)、驅(qū)動(dòng)條件、環(huán)境溫度等）下的IGBT器件的工作狀態(tài)難以準(zhǔn)確的預(yù)測(cè)，從而導(dǎo)致器件的實(shí)際應(yīng)用效果與設(shè)計(jì)之間存在偏差，進(jìn)而影響整個(gè)變換器系統(tǒng)的性能。通過(guò)合理的IGBT測(cè)試技術(shù)，可以得到電路參數(shù)對(duì)器件特性的影響，如封裝和電路的寄生參數(shù)、工作電壓、電流、柵極驅(qū)動(dòng)、溫度等，進(jìn)而獲取能夠充分反映模塊特性的數(shù)據(jù)并用于IGBT行為模型的建立。基于大量測(cè)試數(shù)據(jù)建立起來(lái)的行為模型能夠較為準(zhǔn)確地進(jìn)行開(kāi)關(guān)損耗、電氣應(yīng)力等方面的預(yù)測(cè)，對(duì)提高變流器效率、指導(dǎo)電力電子裝置的熱設(shè)計(jì)、對(duì)整體裝置進(jìn)行壽命預(yù)測(cè)以及考量工作環(huán)境適應(yīng)性等具有重要的意義。所以IGBT特性測(cè)試成為電力電子領(lǐng)域的一個(gè)研究熱點(diǎn)。
大功率IGBT測(cè)試平臺(tái)能對(duì)IGBT進(jìn)行雙脈沖測(cè)試、浪涌電流測(cè)試、短路測(cè)試（包括三類(lèi)短路試驗(yàn)）、短路失效測(cè)試，能對(duì)IGBT的反并聯(lián)二極管進(jìn)行10ms、20ms等脈寬的半正弦浪涌電流測(cè)試等。
